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参数资料
| 型号： | IRLL014NTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLL014N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.015
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
–––
–––
0.14 V GS = 10V, I D = 2.0A ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.20
?
V GS = 5.0V, I D = 1.2A ?
–––
–––
0.28 V GS = 4.0V, I D = 1.0A ?
––– R G = 6.0 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
1.0
2.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.5
1.1
3.0
5.1
4.9
14
2.9
230
66
30
2.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 1.0A
25 V DS = 55V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 16V
nA
-100 V GS = -16V
14 I D = 2.0A
1.7 nC V DS = 44V
4.4 V GS = 10V, See Fig. 6 and 9 ?
––– V DD = 28V
––– I D = 2.0A
ns
––– R D = 14 ?, See Fig. 10 ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
1.3
16
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.0 V T J = 25°C, I S = 2.0A, V GS = 0V ?
––– 41 61 ns T J = 25°C, I F = 2.0A
––– 73 110 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 4.0mH
R G = 25 ? , I AS = 4.0A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ 2.0A, di/dt ≤ 170A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRLL014NTRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 55V 2A SOT-223 |
| IRLL014NTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3 |
| IRLL014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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