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参数资料
| 型号： | IRLL014NTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLL014N
80
TO P
I D
1 .8 A
3 .2 A
1 5V
60
B OTTOM
4.0A
VD S
L
D R IV E R
40
RG
D .U .T
IA S
+
- VD D
A
10V
tp
0.0 1 ?
20
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (B R )D SS
0
V D D = 25 V
25 50
75
100
125
A
150
tp
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLL2703TR | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| IRLL2705TR | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 |
| IRLL3303 | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
| IRLM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| IRLML2402TR | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLL014NTRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRLL014NTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLL014NTRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 55V 2A SOT-223 |
| IRLL014NTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3 |
| IRLL014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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