- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLL014NTR (International Rectifier)MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLL014NTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLL014N
400
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R T E D
C gd
C d s +C gd
20
16
I D = 2.0 A
V D S = 4 4V
V D S = 2 8V
300
200
C iss
C oss
12
8
100
C rss
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 9
A
1
10
100
0
3
6
9
12
15
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
10
T J = 1 50 °C
10
10μ s
1 00μs
1
T J = 2 5°C
1
1m s
10m s
T A = 25 °C
T J
= 15 0°C
0.1
V G S = 0V
A
0.1
S ing le P u lse
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLL2703TR | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| IRLL2705TR | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 |
| IRLL3303 | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
| IRLM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| IRLML2402TR | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLL014NTRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRLL014NTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLL014NTRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 55V 2A SOT-223 |
| IRLL014NTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3 |
| IRLL014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。