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参数资料
| 型号： | IRLL2703TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLL2703
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
100
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
10
1
1
0.1
2.7V
20μs PULSE WIDTH
2.7V
20μs PULSE WIDTH
0.01
0.1
1
T J = 25 ° C
10
100
0.1
0.1
1
T J = 150 ° C
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 150 ° C
2.0
1.5
I D = 3.9A
1.0
T J = 25 ° C
1
0.5
0.1
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = 10V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLL2705PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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