- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLL2703TR (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLL2703TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLL2703
1000
800
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V, f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
15
12
I D = 2.3A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
C oss
9
6
200
C rss
3
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
4
8
SEE FIGURE 13
12
16
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
10
100us
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4 1.8
T A = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
10ms
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLL2705TR | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 |
| IRLL3303 | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
| IRLM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| IRLML2402TR | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 |
| IRLML2502TR | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLL2703TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRLL2703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 5.5A 45mOhm 9.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLL2705 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223 |
| IRLL2705HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube |
| IRLL2705PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。