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参数资料
| 型号： | IRLML2402TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 930mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML2402TR IRLML2402 IRLML2402-ND IRLML2402CT |
IRLML2402
100
10
1
VGS
TOP 7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
100
10
1
VGS
TOP 7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
1.5V
0.1
1.5V
0.1
T J = 25°C
0.01
0.1
20 μ s PULSE WIDTH
1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
A
0.01
0.1
20 μ s PULSE WIDTH
T J = 150°C A
1 10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
10
T J = 25°C
T J = 150°C
2.0
1.5
I D = 0.93A
1
1.0
0.1
0.5
0.01
1.5
2.0
2.5
V DS = 10V
20 μ s PULSE WIDTH
3.0 3.5 4.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 4.5V
A
80 100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRLML2402TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML2402TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 20 V 540 W 2.6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
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