参数资料
型号: IRLML2402TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 250 毫欧 @ 930mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 110pF @ 15V
功率 - 最大: 540mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: Micro3?/SOT-23
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLML2402TR
IRLML2402
IRLML2402-ND
IRLML2402CT
IRLML2402
200
160
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss =C ds +C gd
10
8
I D = 0.93A
V DS = 16V
C iss
120
80
40
C oss
C rss
6
4
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0.0
1.0
2.0
SEE FIGURE 9
3.0
A
4.0
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150°C
1
T J = 25°C
10
100 μ s
0.1
1
1ms
V GS = 0V
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
0.1
1
T A = 25°C
T J = 150°C
Single Pulse
10
10ms
A
100
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
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