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参数资料
| 型号： | IRLML2402TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 930mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML2402TR IRLML2402 IRLML2402-ND IRLML2402CT |
IRLML2402
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
P.W.
D=
Period
+
-
V DD
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V
*
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V DD
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 12. For N-Channel HEXFETS
www.irf.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLML2402TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML2402TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML2402TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 20 V 540 W 2.6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| IRLML2502 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
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