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参数资料
| 型号： | IRLML2803GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 910mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLML2803GTRPBFDKR |
IRLML2803GPbF
10
1
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
10
1
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
3.0V
T J = 25°C
T J = 150°C
0.1
0.1
1
20 μ s PULSE WIDTH
A
10
0.1
0.1
1
20 μ s PULSE WIDTH
A
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
10
T J = 25°C
2.0
I D = 0.91A
1
T J = 150°C
1.5
1.0
0.5
A
0.1
3.0
3.5
4.0
4.5
V DS = 10V
20 μ s PULSE WIDTH
5.0 5.5 6.0 6.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = 10V
A
100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLML2803TR | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRLML2803TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 1.2A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
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