- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLML2803GTRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLML2803GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 910mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLML2803GTRPBFDKR |
IRLML2803GPbF
15V
18
VDS
L
DRIVER
16
14
ID
TOP 0.57A
0.75A
BOTTOM 0.90A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 Ω
+
-
VDD
A
12
10
8
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
Starting T J, Junction Temperature (°C)
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
- ? +
? dv/dt controlled by R G
? Driver same type as D.U.T.
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
www.irf.com
Ripple ≤ 5%
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 13. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
I SD
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLML2803TR | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 |
| IRLML5103TR | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 |
| IRLML6302TR | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| IRLML6344TRPBF | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 |
| IRLML6401TR | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML2803PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 1.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:850mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes |
| IRLML2803TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLML2803TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 1.2A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
| IRLML2803TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML2803TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。