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参数资料
| 型号： | IRLML2803TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 910mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML2803TR IRLML2803 IRLML2803-ND IRLML2803CT |
IRLML2803
15V
18
VDS
L
DRIVER
16
14
ID
TOP 0.57A
0.75A
BOTTOM 0.90A
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 Ω
+
-
VDD
A
12
10
8
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
Starting T J, Junction Temperature (°C)
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
- ? +
? dv/dt controlled by R G
? Driver same type as D.U.T.
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
www.irf.com
Ripple ≤ 5%
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 13. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
I SD
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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