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参数资料
| 型号： | IRLML5103TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 600mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML5103TR IRLML5103 IRLML5103-ND IRLML5103CT |
IRLML5103
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
1
-3.0V
1
-3.0V
0.1
20 μ s PULSE WIDTH
T J = 25°C
A
0.1
20 μ s PULSE WIDTH
T J = 150°C
A
0.1
1
10
0.1
1
10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
10
1
T J = 25°C
T J = 150°C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -0.60A
0.1
3.0
4.0
5.0
V DS = -10V
20 μ s PULSE WIDTH
6.0 7.0 8.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = -10V
A
100 120 140 160
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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