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参数资料
| 型号： | IRLMS1503TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-6, 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS1503TR IRLMS1503 IRLMS1503CT |
PD - 91508D
IRLMS1503
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Generation V Technology
Micro6 Package Style
Ultra Low R DS(on)
N-Channel MOSFET
D
D
1
2
6
5
A
D
D
V DSS = 30V
Description
Fifth Generation HEXFET ? power MOSFETs from
G
3
Top View
4
S
R DS(on) = 0.10 ?
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the fast
switching speed and ruggedized device design that
HEXFET ? power MOSFETs are well known for,
provides the designer with an extremely efficient and
reliable device for use in a wide variety of applications.
The Micro6 ? package with its customized leadframe
produces a HEXFET ? power MOSFET with R DS(on)
60% less than a similar size SOT-23. This package is
ideal for applications where printed circuit board space
is at a premium. It's unique thermal design and R DS(on)
reduction enables a current-handling increase of
nearly 300% compared to the SOT-23.
Absolute Maximum Ratings
Micro6 ?
Parameter
Max.
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
3.2
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
Junction and Storage Temperature Range
2.6
18
1.7
13
± 20
5.0
-55 to + 150
A
W
mW/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
R θ JA
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient ?
Min.
???
Typ.
???
Max
75
Units
°C/W
www.irf.com
1
3/17/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS1503TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 3.2A 6TSOP - Tape and Reel |
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| IRLMS1902 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 |
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