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参数资料
| 型号： | IRLMS1902 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | IRLMS1902 |
www.irf.com
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20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
0.1
1
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100
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20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
3.50V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
0.1
1
10
100
1.5
2.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 150 C
T = 25 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
4.5V
2.2A
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| IRLMS2002 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 |
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