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参数资料
| 型号： | IRLMS1902 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | IRLMS1902 |
4
www.irf.com
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1
10
100
0
100
200
300
400
500
600
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
9
2.2A
V
= 16V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRLMS1902PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6 |
| IRLMS1902TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLMS1902TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
| IRLMS1902TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS2002 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC MICRO-6 |
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