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参数资料
| 型号： | IRLR3303 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRLR3303 Q811927 |
IRLR/U3303
1000
100
10
VGS
TO P 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOT TOM 2.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2 .5V
1
2.5V
1
2 0μ s P U LS E W ID TH
2 0μ s P U LS E W ID TH
0.1
0.1
1
T J = 25 °C
10
A
100
0.1
0.1
1
T J = 1 75 °C
10
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
10
1
T J = 2 5 °C
T J = 1 75 °C
V DS = 1 5V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 3 4A
0.1
2
3
4
5
6
2 0μ s P U L S E W ID TH
7 8 9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160 180
V G S , G ate -to -So urce Volta ge (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLR3303TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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