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参数资料
| 型号： | IRLR3303 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRLR3303 Q811927 |
IRLR/U3303
Package Outline
TO-252AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2 .3 8 (.0 9 4 )
5 .4 6 (.2 1 5 )
5 .2 1 (.2 0 5 )
6 .7 3 (.2 6 5 )
6 .3 5 (.2 5 0 )
-A -
1 .2 7 (.0 5 0 )
0 .8 8 (.0 3 5 )
2 .1 9 (.0 8 6 )
1 .1 4 (.0 4 5 )
0 .8 9 (.0 3 5 )
0 .5 8 (.0 2 3 )
0 .4 6 (.0 1 8 )
4
6 .4 5 (.2 4 5 )
5 .6 8 (.2 2 4 )
6 .2 2 (.2 4 5 )
5 .9 7 (.2 3 5 )
1 0 .4 2 (.4 1 0 )
1.0 2 (.0 4 0 )
1.6 4 (.0 2 5 )
1
2
3
9 .4 0 (.3 7 0 )
L E A D A S S IG N M E N T S
1 - GATE
0 .5 1 (.0 2 0 )
2 - D R A IN
1 .5 2 (.0 6 0 )
-B -
M IN .
3 - S OU R CE
4 - D R A IN
1 .1 5 (.0 4 5 )
3X
0 .8 9 (.0 3 5 )
0 .6 4 (.0 2 5 )
0 .5 8 (.0 2 3 )
2X
1 .1 4 (.0 4 5 )
0 .7 6 (.0 3 0 )
0 .2 5 ( .0 1 0 )
M A M B
0 .4 6 (.0 1 8 )
2 .2 8 ( .0 9 0 )
4 .5 7 ( .1 8 0 )
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5 M , 1 9 8 2 .
2 C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E T O -2 5 2 A A .
4 D IM E N S IO N S S H O W N A R E B E F O R E S O L D E R D IP ,
S O L D E R D IP M A X. + 0 .1 6 (.0 0 6 ) .
Part Marking Information
TO-252AA (D-PARK)
EXAM PLE : TH IS IS AN IR FR 120
W ITH ASSEM BLY
LO T C OD E 9U 1P
IN TER N ATIO N AL
RE CTIFIE R
LO G O
IR FR
120
FIR ST PO R TIO N
OF PAR T N U MBER
A
9U 1P
8
ASSEM BLY
L O T C OD E
SEC O ND PO R TIO N
O F PAR T NU M BER
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL5602S | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3303HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRLR3303PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3303TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR3303TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR3303TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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