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参数资料
| 型号： | IRLR3303 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRLR3303 Q811927 |
IRLR/U3303
1600
1400
V GS
C is s
C rs s
C iss C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R T E D
C gd
C d s + C gd
15
12
I D = 2 0A
V D S = 24 V
V D S = 15 V
1200
1000
800
600
C oss
9
6
C rss
400
3
200
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
S E E FIG U R E 1 3
30
40
A
1000
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100
10
T J = 17 5°C
T J = 25 °C
100
10
10μ s
100 μs
1m s
V G S = 0V
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0 2.5
A
1
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
10m s
100
A
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating
Area
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLR3303HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| IRLR3303PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3303TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR3303TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR3303TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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