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参数资料
| 型号： | IRS2552DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BALLAST CTLR CCFL/EEFL 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 类型： | CCFL/EEFL 控制器 |
| 频率： | 39 ~ 69 kHz |
| 电流 - 电源： | 10mA |
| 电流 - 输出： | 450mA |
| 电源电压： | 10.6 V ~ 15.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
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IRS2552D
Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 14 V, C T = 1 nF and T A = 25 °C unless otherwise specified. The input parameters are referenced to
COM. The V O and I O parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or
LO.
Symbol
Definition
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
Ignition
I CR,IGN
V CS,IGN
Source current at CR pin in IGN mode
Ignition detection threshold
3.7
0.57
4.5
0.6
5.3
0.63
μ A
V
R MIN = 12 k Ω ,
IGNITION MODE
N/A
Gate Driver Output Characteristics
V OH
V OL
V OL,UV
t R
t F
t D
I O+
I O-
High-level output voltage, V BIAS – V O
Low-level output voltage, VO
UV-mode output voltage, VO
Output rise time
Output fall time
Output deadtime (HO or LO)
Output source current
Output sink current
---
---
---
---
---
1.0
---
---
V CC
COM
COM
80
45
1.1
300
450
---
---
---
150
100
1.2
---
---
V
mV
ns
μ s
mA
I O = 0 A
I O = 0 A,
V CC ≤ V CCUV-
N/A
R DT = 2.2 k Ω ,
C DT = 1 nF
N/A
Bootstrap FET Characteristics
V B,ON
I B,CAP
I B,10V
V B when the bootstrap FET is on
V B source current when FET is on
V B source current when FET is on
13.2
40
9
13.5
55
12
---
---
---
V
mA
mA
N/A
C BS = 0.1 μ F
V B = 10 V
Shutdown
V SD , TH
I CD,source
V CD,TH
Shutdown threshold at SD pin
CD pin source current
Threshold at which CD triggers shutdown
1.9
3.7
4.8
2.0
4.5
5.0
2.1
5.3
5.2
V
μ A
V
N/A
V SD >V SD,TH ,
R MIN = 12 k Ω
V CC = 14 V
www.irf.com
8
? 2009 International Rectifier
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PDF描述 |
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参数描述 |
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