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参数资料
| 型号： | IRS2608DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 250ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2608DSTRPBFDKR |
IRS2608DSPbF
Negative V S Transient SOA
A common problem in today’s high-power switching converters is the transient response of the switch node’s voltage as
the power switches transition on and off quickly while carrying a large current. A typical 3-phase inverter circuit is
shown in Figure 10; here we define the power switches and diodes of the inverter.
If the high-side switch (e.g., the IGBT Q1 in Figures 11 and 12) switches off, while the U phase current is flowing to an
inductive load, a current commutation occurs from high-side switch (Q1) to the diode (D2) in parallel with the low-side
switch of the same inverter leg. At the same instance, the voltage node V S1 , swings from the positive DC bus voltage to
the negative DC bus voltage.
Figure 10: Three phase inverter
DC+ BUS
Q1
ON
I U
V S1
Q2
D2
OFF
DC- BUS
Figure 11: Q1 conducting
Figure 12: D2 conducting
Also when the V phase current flows from the inductive load back to the inverter (see Figures 13 and 14), and Q4 IGBT
switches on, the current commutation occurs from D3 to Q4. At the same instance, the voltage node, V S2 , swings from
the positive DC bus voltage to the negative DC bus voltage.
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2609DSPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS26302DJTRPBF | IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC |
| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
| IRS4427PBF | IC MOSFET DRIVER |
| IRS4427SPBF | IC DVR LOW SIDE DUAL 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2609DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half-Bridge Driver 600V 120mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
| IRS2609DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr 600V .250A Sngl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS26302DJ | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FULLY PROTECTED 3-PHASE BRIDGE PLUS ONE GATE DRIVER |
| IRS26302DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 10 to 20V 290ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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