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参数资料
| 型号： | IRS2608DSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 19/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 250ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2608DSTRPBFDKR |
IRS2608DSPbF
Parameters trend in temperature
Figures 24-43 provide information on the experimental performance of the IRS2608D(S) HVIC. The line plotted in each
figure is generated from actual lab data. A large number of individual samples from multiple wafer lots were tested at three
temperatures (-40 oC, 25 oC, and 125 oC) in order to generate the experimental (Exp.) curve. The line labeled Exp. consist
of three data points (one data point at each of the tested temperatures) that have been connected together to illustrate the
understood trend. The individual data points on the curve were determined by calculating the averaged experimental value
of the parameter (for a given temperature).
500
400
500
400
300
200
100
0
Exp.
300
200
100
0
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
250
200
150
100
50
0
o
Fig. 24 Turn-on Propagation Delay vs.
Temperature
Exp.
125
100
75
50
25
0
Temperature ( o C)
Fig. 25. Turn-off Propagation Delay vs.
Temperature
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( C)
o
Fig. 26. Turn-on Rise Time vs. Temperature
www.irf.com
o
Fig. 27. Turn-off Rise Time vs. Temperature
19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2609DSPBF | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC |
| IRS26302DJTRPBF | IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC |
| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
| IRS4427PBF | IC MOSFET DRIVER |
| IRS4427SPBF | IC DVR LOW SIDE DUAL 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2609DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half-Bridge Driver 600V 120mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
| IRS2609DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr 600V .250A Sngl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS26302DJ | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FULLY PROTECTED 3-PHASE BRIDGE PLUS ONE GATE DRIVER |
| IRS26302DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 10 to 20V 290ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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