- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录333 > IRS26302DJTRPBF (International Rectifier)IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRS26302DJTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 16/53页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 320ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS26302DJTRPBFDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页
IRS26302DJ
Application Information and Additional Details
Information regarding the following topics are included as subsections within this section of the datasheet.
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
IGBT/MOSFET Gate Drive
Switching and Timing Relationships
Deadtime
Matched Propagation Delays
Input Logic Compatibility
Undervoltage Lockout Protection
Shoot-Through Protection
Enable Input
Fault Reporting and Programmable Fault Clear Timer
Over-Current Protection
Over-Temperature Shutdown Protection
Truth Table: Undervoltage lockout, ITRIP, and ENABLE
Diagnostics
Advanced Input Filter
Short-Pulse / Noise Rejection
Integrated Bootstrap Functionality
Bootstrap Power Supply Design
Separate Logic and Power Grounds
Tolerant to Negative V S Transients
PCB Layout Tips
Integrated Bootstrap FET limitation
Additional Documentation
IGBT/MOSFET Gate Drive
The IRS26302DJ HVICs are designed to drive MOSFET or IGBT power devices. Figures 1 and 2 illustrate several
parameters associated with the gate drive functionality of the HVIC. The output current of the HVIC, used to drive the
gate of the power switch, is defined as I O . The voltage that drives the gate of the external power switch is defined as
V HO for the high-side power switch and V LO for the low-side power switch; this parameter is sometimes generically
called V OUT and in this case does not differentiate between the high-side or low-side output voltage.
V B
(or V CC )
HO
I O+
V B
(or V CC )
HO
(or LO)
V S
+
V HO (or V LO )
-
(or LO)
V S
I O-
(or COM)
Figure 1: HVIC sourcing current
www.irf.com
16
(or COM)
Figure 2: HVIC sinking current
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
| IRS4427PBF | IC MOSFET DRIVER |
| IRS4427SPBF | IC DVR LOW SIDE DUAL 8-SOIC |
| IRS4428STRPBF | IC DVR LOW SIDE DUAL 8-SOIC |
| ISL2100AAR3Z | IC DVR HALF-BRDG HF 100V 2A 9DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS26310DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase DC BUS 600V 200mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS26310DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Pwr MOSFT & IGBT Drvr HiVolt Hi Spd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS27951 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| IRS27951S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Programmable minimum and maximum switching frequency |
| IRS27951SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG HI VTG CTRLLER IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。