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参数资料
| 型号： | IRS26302DJTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 31/53页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER 3PH BRIDGE 44PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 320ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS26302DJTRPBFDKR |
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IRS26302DJ
Figure 27: Three phase inverter
DC+ BUS
Q1
ON
I U
V S1
Q2
D2
OFF
DC- BUS
Figure 28: Q1 conducting
Figure 29: D2 conducting
Also when the V phase current flows from the inductive load back to the inverter (see Figures 30 and 31), and Q4
IGBT switches on, the current commutation occurs from D3 to Q4. At the same instance, the voltage node, V S2 ,
swings from the positive DC bus voltage to the negative DC bus voltage.
Figure 30: D3 conducting
Figure 31: Q4 conducting
However, in a real inverter circuit, the V S voltage swing does not stop at the level of the negative DC bus, rather it
swings below the level of the negative DC bus. This undershoot voltage is called “negative V S transient”.
The circuit shown in Figure 32 depicts one leg of the three phase inverter; Figures 33 and 34 show a simplified
illustration of the commutation of the current between Q1 and D2. The parasitic inductances in the power circuit from
the die bonding to the PCB tracks are lumped together in L C and L E for each IGBT. When the high-side switch is on,
www.irf.com
31
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS26310DJTRPBF | IC DRIVER MOSFET/IGBT 44-PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS26310DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase DC BUS 600V 200mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS26310DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Pwr MOSFT & IGBT Drvr HiVolt Hi Spd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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