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参数资料
| 型号： | IS61DDB41M36-250M3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, 0.35 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-165 |
| 文件页数： | 15/26页 |
| 文件大小： | 460K |
| 代理商： | IS61DDB41M36-250M3 |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
07/09/04
15
ISSI
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs
AC Test Conditions
(T
A
= 0 to +
70°
C, V
DD
= 1.8V -5%, +5%, V
DDQ
= 1.5, 1.8V)
Parameter
Symbol
Conditions
Units
Notes
Output driver supply voltage
V
DDQ
1.5, 1.8
V
Input high level
V
IH
V
REF
+0.5
V
Input Low Level
V
IL
V
REF
-0.5
V
Input reference voltage
V
REF
0.75, 0.9
V
Input rise time
T
R
0.35
ns
Input fall time
T
F
0.35
ns
Output timing reference level
V
REF
V
Clocks reference level
V
REF
V
Output load conditions
1, 2
1. See
AC Test Loading
.
2. Parameter tested with RQ = 250
and V
DDQ
= 1.5V.
AC Test Loading
Q
50
50
5pF
0.75, 0.9V
0.75, 0.9V
Test
Comparator
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61DDB42M18 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61DDB42M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
| IS61LF12832A | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF12832A-6.5B2 | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| IS61LF12832A-6.5B2I | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IS61DDB42M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball DDR II Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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