- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录176102 > IS61NLP12836A-200B3I (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IS61NLP12836A-200B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 15/29页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | IS61NLP12836A-200B3I |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页当前第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页
22
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. A
10/03/06
ISSI
IS61NLP12832A
IS61NLP12836A/IS61NVP12836A
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
CKE
CKE OPERATION TIMING
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Q1
Q3
Q4
CLK
CKE
Address
WRITE
CE
ADV
OE
Data Out
Data In
D2
tSE tHE
tKH
tKL
tKC
tKQLZ
tKQHZ
tKQ
tDH
tDS
Don't Care
Undefined
NOTES:
WRITE = L means WE = L and BWx = L
CE = L means CE1 = L, CE2 = H and CE2 = L
CE = H means CE1 = H, or CE1 = L and CE2 = H, or CE1 = L and CE2 = L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61NLP12836A-200TQ | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12836A-200TQI | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12836A-200TQLI | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12836A-250B2 | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NVP12836B-200TQ | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NLP12836A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836B-200B2LI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。