收藏本站
参数资料
型号： IS61NLP12836A-200B3I
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： SRAM
英文描述： 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165
封装： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165
文件页数： 28/29页
文件大小： 235K
代理商： IS61NLP12836A-200B3I
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. A
10/03/06
ISSI
IS61NLP12832A
IS61NLP12836A/IS61NVP12836A
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
PIN CONFIGURATION
100-Pin TQFP
128K x 32
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
DQPb
DQb
VDDQ
Vss
DQb
Vss
VDDQ
DQb
Vss
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
Vss
DQa
Vss
VDDQ
DQa
DQPa
DQPc
DQc
VDDQ
Vss
DQc
Vss
VDDQ
DQc
NC
VDD
NC
Vss
DQd
VDDQ
Vss
DQd
Vss
VDDQ
DQd
DQPd
A
CE
CE2
BWd
BWc
BWb
BWa
CE2
V
DD
Vss
CLK
WE
CKE
OE
AD
V
NC
A
MODE
A
A1
A0
NC
Vss
V
DD
NC
A
128K x 36
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
CLK
Synchronous Clock
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa-BWd
Synchronous Byte Write Enable
WE
Write Enable
CKE
Clock Enable
Vss
Ground for Core
NC
Not Connected
CE, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQa-DQd
Synchronous Data Input/Output
DQPa-DQPd
Parity Data I/O
MODE
Burst Sequence Selection
VDD
+3.3V/2.5V Power Supply
VSS
Ground for output Buffer
VDDQ
Isolated Output Buffer Supply: +3.3V/2.5V
ZZ
Snooze Enable
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
DQb
VDDQ
Vss
DQb
Vss
VDDQ
DQb
Vss
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
Vss
DQa
Vss
VDDQ
DQa
NC
DQc
VDDQ
Vss
DQc
Vss
VDDQ
DQc
NC
VDD
NC
Vss
DQd
VDDQ
Vss
DQd
Vss
VDDQ
DQd
NC
A
CE
CE2
BWd
BWc
BWb
BWa
CE2
V
DD
Vss
CLK
WE
CKE
OE
AD
V
NC
A
MODE
A
A1
A0
NC
Vss
V
DD
NC
A
相关PDF资料
PDF描述
IS61NLP12836A-200TQ 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IS61NLP12836A-200TQI 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IS61NLP12836A-200TQLI 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IS61NLP12836A-250B2 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IS61NVP12836B-200TQ 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100
相关代理商/技术参数
参数描述
IS61NLP12836A-200TQI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NLP12836A-200TQI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NLP12836A-200TQLI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NLP12836A-200TQLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NLP12836B-200B2LI 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*