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参数资料
| 型号： | IS61NLP12836A-200B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 3/29页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | IS61NLP12836A-200B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
11
Rev. A
10/03/06
ISSI
IS61NLP12832A
IS61NLP12836A/IS61NVP12836A
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
ASYNCHRONOUS TRUTH TABLE(1)
Operation
ZZ
OE
I/O STATUS
Sleep Mode
H
X
High-Z
Read
LL
DQ
L
H
High-Z
Write
L
X
Din, High-Z
Deselected
L
X
High-Z
Notes:
1. X means "Don't Care".
2. For write cycles following read cycles, the output buffers must be disabled with
OE, otherwise data bus
contention will occur.
3. Sleep Mode means power Sleep Mode where stand-by current does not depend on cycle time.
4. Deselected means power Sleep Mode where stand-by current depends on cycle time.
WRITE TRUTH TABLE (x18)
Operation
WE
BW
BWa
BW
BWb
READ
H
X
WRITE BYTE a
L
H
WRITE BYTE b
L
H
L
WRITE ALL BYTEs
L
WRITE ABORT/NOP
L
H
Notes:
1. X means "Don't Care".
2. All inputs in this table must beet setup and hold time around the rising edge of CLK.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61NLP12836A-200TQ | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12836A-200TQI | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12836A-200TQLI | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12836A-250B2 | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NVP12836B-200TQ | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NLP12836A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836B-200B2LI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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