参数资料
型号: IS61NVP204818-166TQ
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 2M X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100
封装: TQFP-100
文件页数: 12/22页
文件大小: 221K
代理商: IS61NVP204818-166TQ
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
05/02/07
IS61NLP102436/IS61NVP102436
IS61NLP204818/IS61NVP204818
BLOCK DIAGRAM
ADV
WE
}
BWX
(X=a,b,c,d or a,b)
CE
CE2
CONTROL
LOGIC
1Mx36;
2Mx18
MEMORY ARRAY
WRITE
ADDRESS
REGISTER
WRITE
ADDRESS
REGISTER
CONTROL
LOGIC
OUTPUT
REGISTER
BUFFER
ADDRESS
REGISTER
x 36: A [0:19] or
x 18: A [0:20]
CLK
CKE
A2-A19 or A2-A20
A0-A1
A'0-A'1
BURST
ADDRESS
COUNTER
MODE
DATA-IN
REGISTER
DATA-IN
REGISTER
CONTROL
REGISTER
OE
ZZ
36 or 18
K
DQx/DQPx
K
相关PDF资料
PDF描述
IS61SPS25632D-5TQ 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100
IS61VF102436A-6.5B3I 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
IS62LV25616LL-70TI x16 SRAM
IS62LV25616LL-85B x16 SRAM
IS62LV25616LL-85BI x16 SRAM
相关代理商/技术参数
参数描述
IS61NVP204818A-166TQLI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS61NVP25636A-200B2LI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS61NVP25636A-200B3LI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS61NVP25636A-200TQI 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61NVP25636A-200TQI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray