型号: | IS61NVP204818-166TQ |
厂商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分类: | SRAM |
英文描述: | 2M X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
封装: | TQFP-100 |
文件页数: | 6/22页 |
文件大小: | 221K |
代理商: | IS61NVP204818-166TQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IS61SPS25632D-5TQ | 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
IS61VF102436A-6.5B3I | 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
IS62LV25616LL-70TI | x16 SRAM |
IS62LV25616LL-85B | x16 SRAM |
IS62LV25616LL-85BI | x16 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IS61NVP204818A-166TQLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
IS61NVP25636A-200B2LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
IS61NVP25636A-200B3LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
IS61NVP25636A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61NVP25636A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |