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参数资料
| 型号： | IS61SPS25632D-5TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | IS61SPS25632D-5TQ |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
13
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SPS25632T/D
IS61LPS25632T/D
IS61SPS25636T/D
IS61LPS25636T/D
IS61SPS51218T/D
IS61LPS51218T/D
ISSI
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
-166*
-150
-133
-100
Symbol Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
fMAX
Clock Frequency
—
166
—
150
—
133
—
100
MHz
tKC
Cycle Time
6
—
6.7
—
7.5
—
10
—
ns
tKH
Clock High Pulse Width
2.3
—
2.5
—
2.8
—
3
—
ns
tKL
Clock Low Pulse Width
2.3
—
2.5
—
2.8
—
3
—
ns
tKQ
Clock Access Time
—
3.5
—
3.8
—
4
—
5ns
tKQX(1)
Clock High to Output Invalid
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
tKQLZ(1,2)
Clock High to Output Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
tKQHZ(1,2)
Clock High to Output High-Z
—
3.5
—
3.8
—
4
—
5ns
tOEQ
Output Enable to Output Valid
—
3.5
—
3.8
—
4
—
5ns
tOELZ(1,2)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
tOEHZ(1,2)
Output Enable to Output High-Z
—
3.2
—
3.8
—
4
—
5ns
tAS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tSS
Address Status Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tWS
Write Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tCES
Chip Enable Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tAVS
Address Advance Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tAH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tSH
Address Status Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tWH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tCEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tAVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
*This speed available only in SPS version
Note:
1. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
2. Tested with load in Figure 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VF102436A-6.5B3I | 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| IS62LV25616LL-70TI | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85B | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85BI | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85M | x16 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VF102418A-6.5B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5TQ | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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