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参数资料
| 型号： | IS61SPS25632D-5TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 8/22页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | IS61SPS25632D-5TQ |
16
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SPS25632T/D
IS61LPS25632T/D
IS61SPS25636T/D
IS61LPS25636T/D
IS61SPS51218T/D
IS61LPS51218T/D
ISSI
WRITE CYCLE TIMING
Single Write
DATAOUT
DATAIN
OE
CE2
CE
BWx
BWE
GW
Address
ADV
ADSC
ADSP
CLK
WR1
WR2
Unselected
Burst Write
tKC
tKL
tKH
tSS
tSH
tAS
tAH
tWS
tWH
tWS
tWH
WR3
tCES
tCEH
tCES
tCEH
tCES
tCEH
CE2 and CE2 only sampled with ADSP or ADSC
CE Masks ADSP
Unselected with CE2
ADSC initiate Write
ADSP is blocked by CE inactive
tAVH
tAVS
ADV must be inactive for ADSP Write
WR1
WR2
tWS
tWH
WR3
tWS
tWH
High-Z
1a
3a
tDS
tDH
BW4-BW1 only are applied to first cycle of WR2
Write
2c
2d
2a
2b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VF102436A-6.5B3I | 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IS61VF102418A-6.5B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5TQ | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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