参数资料
型号: IS61SPS25632D-5TQ
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100
封装: TQFP-100
文件页数: 9/22页
文件大小: 152K
代理商: IS61SPS25632D-5TQ
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
17
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SPS25632T/D
IS61LPS25632T/D
IS61SPS25636T/D
IS61LPS25636T/D
IS61SPS51218T/D
IS61LPS51218T/D
ISSI
SLEEP MODE TIMING
Don't Care
Deselect or Read Only
tRZZI
CLK
ZZ
Isupply
All Inputs
(except ZZ)
Outputs
(Q)
ISB2
ZZ setup cycle
ZZ recovery cycle
Normal
operation
cycle
tPDS
tPUS
tZZI
High-Z
SNOOZE MODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Max.
Unit
ISB2
Current during SNOOZE MODE
ZZ
≥ Vih
30
mA
tPDS
ZZ active to input ignored
2
cycle
tPUS
ZZ inactive to input sampled
2
cycle
tZZI
ZZ active to SNOOZE current
2
cycle
tRZZI
ZZ inactive to exit SNOOZE current
0
ns
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PDF描述
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参数描述
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IS61VF102418A-6.5B3I 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VF102418A-6.5B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VF102418A-6.5B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VF102418A-6.5TQ 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray