型号: | IS61SPS25632D-5TQ |
厂商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分类: | SRAM |
英文描述: | 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
封装: | TQFP-100 |
文件页数: | 7/22页 |
文件大小: | 152K |
代理商: | IS61SPS25632D-5TQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IS61VF102418A-6.5B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61VF102418A-6.5B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61VF102418A-6.5B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61VF102418A-6.5TQ | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |