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参数资料
| 型号： | ISL2111ABZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 8 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1240 (CN2011-ZH PDF) |
ISL2110, ISL2111
Package Outline Drawing
M8.15
8 LEAD NARROW BODY SMALL OUTLINE PLASTIC PACKAGE
Rev 3, 3/11
DETAIL "A "
1.27 (0.050)
0.40 (0.016)
INDEX
6.20 (0.244)
AREA
4.00 (0.157)
5.80 (0.228)
0.50 (0.20)
0.25 (0.01)
x 45°
3.80 (0.150)
8 °
1
2
3
0°
0.25 (0.010)
0.19 (0.008)
TOP VIEW
SIDE VIEW “B”
2.20 (0.087)
SEATING PLANE
1
8
5.00 (0.197)
4.80 (0.189)
1.75 (0.069)
1.35 (0.053)
2
7
0.60 (0.023)
1.27 (0.050)
-C-
3
4
6
5
1.27 (0.050)
0.25(0.010)
0.10(0.004)
0.51(0.020)
0.33(0.013)
SIDE VIEW “A
12
5.20(0.205)
TYPICAL RECOMMENDED LAND PATTERN
NOTES:
1. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1982.
2. Package length does not include mold flash, protrusions or gate burrs.
Mold flash, protrusion and gate burrs shall not exceed 0.15mm (0.006
inch) per side.
3. Package width does not include interlead flash or protrusions. Interlead
flash and protrusions shall not exceed 0.25mm (0.010 inch) per side.
4. The chamfer on the body is optional. If it is not present, a visual index
feature must be located within the crosshatched area.
5. Terminal numbers are shown for reference only.
6. The lead width as measured 0.36mm (0.014 inch) or greater above the
seating plane, shall not exceed a maximum value of 0.61mm (0.024 inch).
7. Controlling dimension: MILLIMETER. Converted inch dimensions are not
necessarily exact.
8. This outline conforms to JEDEC publication MS-012-AA ISSUE C.
FN6295.6
March 8, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL2111ABZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 8LD TTL INPUTS T RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111AR4Z | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111AR4Z-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111ARTZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 10LD 4X4 TTL INPU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111ARTZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 10LD 4X4 TTL INPU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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