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参数资料
| 型号： | ISL2111ABZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 8 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1240 (CN2011-ZH PDF) |
ISL2110, ISL2111
Typical Performance Curves
(Continued)
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I DD
5
10
I HB
15
20
320
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
I DD
5
10
I HB
15
20
V DD , V HB (V)
FIGURE 19. ISL2110 QUIESCENT CURRENT vs VOLTAGE
1.00
0.10
0.01
1 . 10 -3
1 . 10 -4
1 . 10 -5
V DD , V HB (V)
FIGURE 20. ISL2111 QUIESCENT CURRENT vs VOLTAGE
120
100
80
60
40
20
1 . 10 -6
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
12
13
14
15
16
FORWARD VOLTAGE (V)
FIGURE 21. BOOTSTRAP DIODE I-V CHARACTERISTICS
V DD TO V SS VOLTAGE (V)
FIGURE 22. V HS VOLTAGE vs V DD VOLTAGE
All Intersil U.S. products are manufactured, assembled and tested utilizing ISO9000 quality systems.
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9
FN6295.6
March 8, 2012
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| ISL2111AR4Z-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111ARTZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 10LD 4X4 TTL INPU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111ARTZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 10LD 4X4 TTL INPU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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