- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录333 > ISL2111ABZ (Intersil)IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ISL2111ABZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 38ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 8 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1240 (CN2011-ZH PDF) |
ISL2110, ISL2111
Electrical Specifications
V DD = V HB = 12V, V SS = V HS = 0V, No Load on LO or HO, unless otherwise specified. (Continued)
T J = +25°C
T J = -40°C to +125°C
MIN
MAX
PARAMETERS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
(Note 9)
(Note 9)
UNITS
UNDERVOLTAGE PROTECTION
V DD Rising Threshold
V DD Threshold Hysteresis
HB Rising Threshold
HB Threshold Hysteresis
V DDR
V DDH
V HBR
V HBH
6.1
-
5.5
-
6.6
0.6
6.1
0.6
7.1
-
6.8
-
5.8
-
5.0
-
7.4
-
7.1
-
V
V
V
V
BOOT STRAP DIODE
Low Current Forward Voltage
High Current Forward Voltage
Dynamic Resistance
V DL
V DH
R D
I VDD-HB = 100μA
I VDD-HB = 100mA
I VDD-HB = 100mA
-
-
-
0.5
0.7
0.7
0.6
0.9
1
-
-
-
0.7
1
1.5
V
V
Ω
LO GATE DRIVER
Low Level Output Voltage
High Level Output Voltage
Peak Pull-Up Current
Peak Pull-Down Current
V OLL
V OHL
I OHL
I OLL
I LO = 100mA
I LO = -100mA, V OHL = V DD - V LO
V LO = 0V
V LO = 12V
-
-
-
-
0.1
0.16
3
4
0.18
0.23
-
-
-
-
-
-
0.25
0.3
-
-
V
V
A
A
HO GATE DRIVER
Low Level Output Voltage
High Level Output Voltage
Peak Pull-Up Current
Peak Pull-Down Current
V OLH
V OHH
I OHH
I OLH
I HO = 100mA
I HO = -100mA, V OHH = V HB - V HO
V HO = 0V
V HO = 12V
-
-
-
-
0.1
0.16
3
4
0.18
0.23
-
-
-
-
-
-
0.25
0.3
-
-
V
V
A
A
Switching Specifications
V DD = V HB = 12V, V SS = V HS = 0V, No Load on LO or HO, unless otherwise specified.
T J = -40°C
T J = +25°C
to +125°C
TEST
MIN
MAX
PARAMETERS
Lower Turn-Off Propagation Delay (LI Falling to LO Falling)
Upper Turn-Off Propagation Delay (HI Falling to HO Falling)
Lower Turn-On Propagation Delay (LI Rising to LO Rising)
Upper Turn-On Propagation Delay (HI Rising to HO Rising)
Delay Matching: Upper Turn-Off to Lower Turn-On
Delay Matching: Lower Turn-Off to Upper Turn-On
Either Output Rise Time (10% to 90%)
Either Output Fall Time (90% to 10%)
Either Output Rise Time (3V to 9V)
Either Output Fall Time (9V to 3V)
Minimum Input Pulse Width that Changes the Output
Bootstrap Diode Turn-On or Turn-Off Time
SYMBOL
t LPHL
t HPHL
t LPLH
t HPLH
t MON
t MOFF
t RC
t FC
t R
t F
t PW
t BS
CONDITIONS
C L = 1nF
C L = 1nF
C L = 0.1μF
C L = 0.1μF
MIN
-
-
-
-
1
1
-
-
-
-
-
-
TYP
32
32
39
38
8
6
9
7.5
0.3
0.19
-
10
MAX
50
50
50
50
-
-
-
-
0.4
0.3
-
-
(Note 9)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
(Note 9)
60
60
60
60
16
16
-
-
0.5
0.4
50
-
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ns
ns
5
FN6295.6
March 8, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL6160EVAL2 | EVAL BOARD FOR ISL6160/HIP6006 |
| ISL6207CBZ | IC DRIVER MOSFET DUAL SYNC 8SOIC |
| ISL6208ACBZ | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC |
| ISL6208CBZ-T | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC |
| ISL6209CB-T | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL2111ABZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 8LD TTL INPUTS T RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111AR4Z | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111AR4Z-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 12LD 4X4 TTL INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111ARTZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 10LD 4X4 TTL INPU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL2111ARTZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V/4A H-BRDG DRVR 10LD 4X4 TTL INPU RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。