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参数资料
| 型号： | ISL55110IRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 18/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| 标准包装： | 75 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 3 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3.5A |
| 电源电压： | 5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
ISL55110, ISL55111
Package Outline Drawing
M8.173
8 LEAD THIN SHRINK SMALL OUTLINE PACKAGE (TSSOP)
Rev 2, 01/10
A
2
4
3.0 ±0.5
6.40
4.40 ±0.10
3
4
CL
PIN 1
8
5
SEE DETAIL "X"
0.20 C BA
ID MARK
1
4
0.65
B
0.09-0.20
H
TOP VIEW
0.05
END VIEW
1.00 REF
C
0.90 +0.15/-0.10
SEATING
PLANE
0.25 +0.05/-0.06
1.20 MAX
6
GAUGE
PLANE
0.25
0.10 C
0.10
CBA
0.05 MIN
0°-8°
SIDE VIEW
0.15 MAX
DETAIL "X"
0.60 ±0.15
(1.45)
(5.65)
PACKAGE BODY
OUTLINE
(0.35 TYP)
(0.65 TYP)
TYPICAL RECOMMENDED LAND PATTERN
18
NOTES:
1. Dimensions are in millimeters.
Dimensions in ( ) for Reference Only.
2. Dimension does not include mold flash, protrusions or
gate burrs. Mold flash, protrusions or gate burrs shall
not exceed 0.15 per side.
3. Dimension does not include interlead flash or protrusion.
Interlead flash or protrusion shall not exceed 0.15 per side.
4. Dimensions are measured at datum plane H.
5. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
6. Dimension on lead width does not include dambar protrusion.
Allowable protrusion shall be 0.08 mm total in excess of
dimension at maximum material condition. Minimum space
between protrusion and adjacent lead is 0.07mm.
7. Conforms to JEDEC MO-153, variation AC. Issue E
FN6228.6
August 8, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL55111IRZ | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| VI-230-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W |
| NID5001NT4G | MOSFET PWR HD+ 33A 42V ESD DPAK |
| VI-22X-EW-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W |
| VI-22X-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL55110IRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IRZ-T7A | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ-T | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ-T7A | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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