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参数资料
| 型号： | ISL55110IRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| 标准包装： | 75 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 3 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3.5A |
| 电源电压： | 5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
ISL55110, ISL55111
VH = 12V
+3V
+
4.7μF
0.1μF
INPUT
INPUT
INX
OUTPUT
≈ 0.4V
INPUT RISE AND
FALL TIMES ≤ 2ns
IN
ISL55110
C L
12V
t r
90%
90%
t f
OUTPUT
0V
10%
10%
FIGURE 1. TEST CIRCUIT RISE (t R )/FALL(t F ) THRESHOLDS
VH = 12V
+3V
+
4.7μF
0.1μF
INPUT
50%
50%
IN-X
≈ 0.4V
INPUT
OUTPUT
tpdR
tpdF
INPUT RISE AND
IN
ISL55110
C L
12V
FALL TIMES ≤ 2ns
OUTPUT OA AND OB ISLS55110
OUTPUT OA ISLS55111
0V
12V
OUTPUT OB ISLS55111
50%
50%
50%
50%
0V
t SKEW R = tpdR CHN1 - tpdR CHN2
FIGURE 2. TEST CIRCUIT PROPAGATION TPD DELAY
7.0
7.0
6.3
5.6
4.9
4.2
+85°C
+25°C
VDD 3.6V
-50mA
6.3
5.6
4.9
4.2
+85°C
+25°C
VDD 3.6V
+50mA
3.5
2.8
2.1
1.4
3.5
2.8
2.1
1.4
0.7
0.0
-40°C
0.7
0.0
-40°C
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
4
5
6
7 8 9 10
11
12
13
V H , DRIVE RAIL (V)
FIGURE 3. DRIVER r ON vs VH SOURCE RESISTANCE
7
V H , DRIVE RAIL (V)
FIGURE 4. DRIVER r ON vs VH SINK RESISTANCE
FN6228.6
August 8, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL55111IRZ | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| VI-230-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W |
| NID5001NT4G | MOSFET PWR HD+ 33A 42V ESD DPAK |
| VI-22X-EW-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W |
| VI-22X-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL55110IRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IRZ-T7A | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ-T | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ-T7A | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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