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参数资料
| 型号： | ISL55110IRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| 标准包装： | 75 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 3 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3.5A |
| 电源电压： | 5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
ISL55110, ISL55111
Typical Performance Curves (See “Typical Performance Curves Discussion” on page 12) (Continued)
4.00
3.66
3.33
V H 5.0V
50mA
4.00
3.66
3.33
50mA
2.66
V H 12.0V
2.66
V H 5.0V
V H 12.0V
2.33
2.00
2.33
2.00
2.5
3.5
4.5
5.5
2.5
3.5
4.5
5.5
5.0
V DD (V)
FIGURE 5. r ON vs V DD SOURCE RESISTANCE
10
V DD (V)
FIGURE 6. r ON vs V DD SINK RESISTANCE
9
VDD 3.6V
4.6
4.2
3.8
3.4
VH 5V AND 12V
8
7
6
5
4
3
2
1
3.0
2.5
3.5
4.5
5.5
0
4
8
12
100
V DD (V)
FIGURE 7. I DD vs V DD QUIESCENT CURRENT
200
V H , DRIVE RAIL (V)
FIGURE 8. I DD vs V H @ 50MHz (NO LOAD)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
V DD 3.6V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
V DD 3.6V
0
4
8
12
0
4
8
12
V H , DRIVE RAIL (V)
FIGURE 9. QUIESCENT I H vs V H
8
V H , DRIVE RAIL (V)
FIGURE 10. I H vs V H @ 50MHz (NO LOAD)
FN6228.6
August 8, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL55111IRZ | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| VI-230-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W |
| NID5001NT4G | MOSFET PWR HD+ 33A 42V ESD DPAK |
| VI-22X-EW-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W |
| VI-22X-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL55110IRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IRZ-T7A | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ-T | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ-T7A | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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