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参数资料
| 型号： | ISL55110IRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
| 标准包装： | 75 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 3 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3.5A |
| 电源电压： | 5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
ISL55110, ISL55111
Absolute Maximum Ratings (T A = +25 ° C)
V H + to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.0V
V DD to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6.5V
V IN _A, V IN _V, PDN, ENABLE. . . . . . . . . . . . . . . (GND - 0.5V) to (V DD + 0.5V)
OA, OB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .(GND - 0.5) to (VH + 0.5V)
Maximum Peak Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (300mA)
ESD Rating
Human Body Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3kV
Thermal Information
Thermal Resistance θ JA (°C/W) θ JC (°C/W)
16 Ld (4x4) QFN Package (Notes 5, 6) . . . 45 3.0
8 Ld TSSOP Package (Notes 4, 7) . . . . . . . 140 46
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . . . . . +150°C
Maximum Storage Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . -65°C to +150°C
Pb-free reflow profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . see link below
Recommended Operating Conditions
Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°C to +85°C
Drive Supply Voltage (V H ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V to 13.2V
Logic Supply Voltage (V DD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.7V to 5.5V
Ambient Temperature (T A ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°C to +85°C
Junction Temperature (T J ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product
reliability and result in failures not covered by warranty.
NOTES:
4. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.
5. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See Tech
6. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
7. For θ JC , the “case temp” location is taken at the package top center.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typical values are for information purposes only. Unless otherwise
noted, all tests are at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T J = T C = T A
DC Electrical Specifications
V H = +12V, V DD = 2.7V to 5.5V, T A = +25°C, unless otherwise specified.
MIN
MAX
PARAMETER
DESCRIPTION
TEST CONDITIONS
(Note 8)
TYP
(Note 8)
UNITS
LOGIC CHARACTERISTICS
VIX_LH
Logic Input
Threshold - Low to
l IH = 1μA: VIN_A,
VIN_B
1.32
1.42
1.52
V
High
VIX_HL
Logic Input
Threshold - High to
l IL = 1μA: VIN_A,
VIN_B
1.12
1.22
1.32
V
Low
VHYS
Logic Input
VIN_A, VIN_B
0.2
V
Hysteresis
VIH
Logic Input High
PDN
2.0
VDD
V
Threshold
VIL
Logic Input Low
PDN
0
0.8
V
Threshold
VIH
Logic Input High
ENABLE - QFN only
2.0
VDD
V
Threshold
VIL
Logic Input Low
ENABLE - QFN only
0
0.8
V
Threshold
IIX_H
Input Current Logic
VIN_A,VIN_B = VDD
10
20
nA
High
IIX_L
Input Current Logic
VIN_A, VIN_B = 0V
10
20
nA
Low
II_H
Input Current Logic
PDN = VDD
10
20
nA
High
II_L
Input Current Logic
PDN = 0V
10
15
nA
Low
4
FN6228.6
August 8, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL55111IRZ | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 16-QFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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