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参数资料
| 型号： | ISL6615AIBZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC |
| 标准包装： | 980 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 10ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 36V |
| 电源电压： | 6.8 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
ISL6615A
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage (VCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
Supply Voltage (PVCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VCC + 0.3V
BOOT Voltage (VBOOT-GND) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Input Voltage (VPWM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3V to 7V
UGATE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VPHASE - 0.3VDC to VBOOT + 0.3V
. . . . . . . . . . . .VPHASE - 3.5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to VBOOT + 0.3V
LGATE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3VDC to VPVCC + 0.3V
. . . . . . . . . . . . . . . . .GND - 5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to VPVCC + 0.3V
PHASE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3VDC to 15VDC
GND - 8V (<400ns, 20μJ) to
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V (<200ns, VBOOT-GND < 36V))
ESD Ratings
HBM (Tested per JESD22-A114E). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2kV
MM (Tested per JESD22-A115-A) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
CDM (Tested per JESD22-C101C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2kV
Latchup . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Tested per JESD78A, Class II at +85°C
Thermal Information
Thermal Resistance θ JA (°C/W) θ JC (°C/W)
SOIC Package (Notes 4, 5) . . . . . . . . . . . . . 98 56
DFN Package (Notes 6, 7) . . . . . . . . . . . . . 47 5
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . . . . . .+150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Pb-Free Reflow Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . see link below
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
Recommended Operating Conditions
Ambient Temperature Range
ISL6615ACRZ, ISL6615ACBZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C
ISL6615AIRZ, ISL6615AIBZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°C to +85°C
ISL6615AFRZ (Note 8). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +125°C
Maximum Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+125°C
VCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8V to 13.2V
PVCC Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5V to 12V ±10%
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product
reliability and result in failures not covered by warranty.
NOTES:
4. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air.
5. For θ JC , the “case temp” location is taken at the package top center.
6. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See Tech
Brief TB379.
7. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
8. When using ISL6615AFRZ, care should be taken to minimize power dissipation.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions; Boldface limits apply over the operating temperature ranges.
MIN
MAX
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
(Note 9)
TYP
(Note 9)
UNITS
VCC SUPPLY CURRENT
Bias Supply Current
Gate Drive Bias Current
I VCC
I PVCC
f PWM = 300kHz, V VCC = 12V
f PWM = 300kHz, V PVCC = 12V
-
-
4.5
8
-
-
mA
mA
POWER-ON RESET AND ENABLE
VCC Rising Threshold
VCC Falling Threshold
6.1
4.7
6.4
5.0
6.7
5.3
V
V
PWM INPUT (See “TIMING DIAGRAM” on page 6)
Input Current
I PWM
V PWM = 5V
V PWM = 0V
-
-
510
-475
-
-
μA
μA
PWM Rising Threshold (Note 10)
PWM Falling Threshold (Note 10)
Typical Tri-State Shutdown Window
Tri-State Lower Gate Falling Threshold
Tri-State Lower Gate Rising Threshold
Tri-State Upper Gate Rising Threshold
Tri-State Upper Gate Falling Threshold
Shutdown Holdoff Time
t TSSHD
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
1.80
-
-
-
-
-
3.00
2.00
-
1.50
1.00
3.20
2.70
55
-
-
2.40
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
ns
UGATE Rise Time (Note 10)
LGATE Rise Time (Note 10)
t RU
t RL
V PVCC = 12V, 3nF Load, 10% to 90%
V PVCC = 12V, 3nF Load, 10% to 90%
-
-
13
10
-
-
ns
ns
4
FN6608.2
April 13, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL6615IBZ | IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC |
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参数描述 |
|---|---|
| ISL6615AIBZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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| ISL6615AIRZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615CBZ | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615CBZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:* |
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