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参数资料
| 型号： | ISL8501EVAL1Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION BOARD FOR ISL8501 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，LDO 步降 |
| 输出及类型： | 3，非隔离 |
| 输出电压： | 3.3V，1.2V，1.8V |
| 电流 - 输出： | 1A，500mA，500mA |
| 输入电压： | 4.5 ~ 25 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 500kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | ISL8501 |
ISL8501
Electrical Specifications
Unless Otherwise Noted, All Parameter Limits are Guaranteed Over the Recommended Operating Conditions
and the Typical Specifications are Measured at the Following Conditions: T A = -40°C To +85°C (Note 7),
V IN = 6V to 25V, Unless Otherwise Noted. Typical Values are at T A = +25°C. (Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
ENABLE SECTION
EN Threshold
Rising Edge
1.2
1.7
2.2
V
Hysteresis
350
mV
EN_LDOx Logic Input Threshold
Rising Edge
1.2
1.7
2.2
V
Hysteresis
400
mV
EN_LDOx Logic Input Current
-1
1
μ A
FAULT PROTECTION
Thermal Shutdown Temperature
T SD
T HYS
Rising Threshold
Hysteresis
150
15
°C
°C
PWM UV Trip Level
V UV
Referred to Nominal VOUT
65
70
75
%
PWM UVP Propagation Delay
360
ns
PWM OCP Threshold
(Note 4)
1.85
2.7
3.00
A
OCP Blanking Time
POWER GOOD
150
ns
PG_PWM Trip Level Referred to Nominal
VOUT
Falling Edge, 15mV Hysteresis
Rising Edge, 15mV Hysteresis
84
107
88
110
92
113
%
%
PG_PWM and PG_LDOx Propagation
Delay
160
ns
PG_PWM Low Voltage
ISINK = 4mA
0.3
V
PG_PWM Leakage Current
V PG_PWM = 5V, V FB_PWM = 600mV
-1
1
μ A
PG_LDOx Trip Level Referred to Nominal
Falling Edge, 15mV Hysteresis
81
85
88
%
VOUT
PG_LDOx Low Voltage
ISINK = 4mA
0.3
V
PG_LDOx Leakage Current
V PG_LDOx = 5V, V FB_LDOx = 600mV
-1
1
μ A
SOFT-START SECTION
Soft-Start Threshold to Enable Buck
Soft-Start Threshold to Enable PG
Soft-Start Voltage High
Soft-Start Charging Current
Soft-Start Pull-down
V SS = 3.0V
0.8
2.8
25
1.0
2.95
3.3
30
25
1.2
3.1
35
V
V
V
μ A
mA
POWER MOSFET
r DS(ON)
IOUT = 100mA
120
350
m Ω
LDOx
FB_LDOx Voltage Accuracy
FB Leakage Current
IOUT = 10mA
VFB = 0.6V
-1.5
-200
-80
1.5
%
nA
Output Current Limit
Dropout Voltage
IOUT = 450mA, VOUT > 2V (Note 5)
550
800
150
1000
300
mA
mV
FB_LDOx Line Regulation
FB_LDOx Load Regulation
IOUT = 0mA, VIN_LDO1 = 2.0 ~4.6V
IOUT = 10mA to 500mA
-0.6
±0.5
0.6
%/V
%
NOTES:
3. Test Condition: V IN = 15V, FB forced above regulation point (0.6V), no switching, and power MOSFET gate charging current not included.
4. Limits established by characterization and are not production tested.
5. The dropout voltage is defined as minimum amount VIN must exceed a desired VOUT operating point. V LDO = V IN_LDO - V OUT .
6. The input voltage VCC must be higher than VIN_LDO or the LDO will not function.
7. Specifications at -40°C to +85°C are guaranteed by +25°C test with margin limits.
6
FN6500.1
July 12, 2007
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