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参数资料
| 型号： | IX6R11M6T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-MLP |
| 供应商设备封装： | 16-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IX6R11
1100
1100
1000
900
Maximum
1000
900
Maximum
800
700
Typical
800
700
Typical
600
-50
-25
0
25
50
75
100
125
600
10
15
20
25
30
35
Temperature - o C
Fig. 25a. Quiescent current vs. temperature for the
high side power supply.
1000
V CH Voltage - Volts
Fig. 25b. Quiescent current vs. voltage for the high side
power supply.
75
950
70
A
Load Conditions:
900
850
Maximum
65
60
55
B
C
D
A: IXFK21N100F @ V CH = 400V
B: IXFK21N100F @ V CH = 200V
C: IXFH14N100Q @ V CH =400V
D: IXFH14N100Q @ V CH =200V
E: IXTU01N100 @ V CH = 400V
F: IXTU01N100 @ V CH = 200V
800
50
750
700
650
Typical
45
40
35
30
E
F
600
-50
-25
0
25
50
75
100
125
25
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Temperature - o C
Fig. 26. Quiescent current vs. temperature for the low
side power supply
75
Frequency - kHz
Fig. 27a. Case temperature rise vs. switching frequency
for IX6R11S3
70
Load Conditions:
A: IXFK21N100F @ V CH = 400V
65
60
B: IXFK21N100F @ V CH = 200V
C: IXFH14N100Q @ V CH =400V
D: IXFH14N100Q @ V CH =200V
E: IXTU01N100 @ V CH = 400V
B
55
50
45
F: IXTU01N100 @ V CH = 200V
A
C
D
40
35
30
E
F
25
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Frequency - kHz
Fig. 27b. Case temperature rise vs. switching frequency
for IX6R11S6
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EYM10DTAT-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| VE-BNR-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| T95Z156M025CSAL | CAP TANT 15UF 25V 20% 2910 |
| RBM12DSEI-S13 | CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND |
| VE-BNP-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IX6R11P7 | 功能描述:功率驱动器IC 35V 6A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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