- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20466 > IX6R11M6T/R (IXYS)IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IX6R11M6T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-MLP |
| 供应商设备封装： | 16-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IX6R11
200
175
Max. High Side
250
200
150
Max. High Side
125
Typ. High Side
150
Typ. High Side
100
75
Max. Low side
Typ. Low side
100
Max. Low side
Typ. Low side
50
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
Temperature - Degrees C
Fig. 15a. High and Low side ENABLE (Shutdown) times
vs. temperature.
300
225
Max. High Side
V CL /V CH Supply Voltage - Volts
Fig.15b. High and Low side ENABLE (Shutdown) times
vs. supply voltage.
30
25
Max. turn-on
150
75
Typ. High Side
Max. Low side
Typ. Low side
20
15
Typ. turn-on
Max. turn-off
Typ. turn-off
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V DD Supply Voltage - Volts
Fig. 15c. High and Low side ENABLE (Shutdown) times
vs. supply voltage.
25
Temperature - Degrees C
Fig. 16a. Turn-on and turn-off rise times vs. temperature.
25
Max. High Side
Max. High Side
20
Typ. High Side
20
Max. Low side
Typ. High Side
Max. Low side
15
10
Typ. Low side
15
10
Typ. Low side
10
15
20
25
30
35
10
15
20
25
30
35
V CL /V CH Supply Voltage - Volts
Fig. 16b. Turn-on rise times vs. bias supply voltages.
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
V CL /V CH Supply Voltage - Volts
Fig. 16c. Turn-off delay times vs. bias supply voltages.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EYM10DTAT-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| VE-BNR-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| T95Z156M025CSAL | CAP TANT 15UF 25V 20% 2910 |
| RBM12DSEI-S13 | CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND |
| VE-BNP-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IX6R11P7 | 功能描述:功率驱动器IC 35V 6A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。