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参数资料
| 型号： | IX6R11M6T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-MLP |
| 供应商设备封装： | 16-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IX6R11
U1
HS
IX6R11
VCH
HGO
+ C2
10uF
C5
0.1uF
HGO
OUTPUT MONITOR
VDD
HS
GND2
GND2
HS
HV SCOPE PROBE
HIN
ENB
LIN
DG
LS
LS
VCL
LGO
LS
C6
0.1uF
L1
200uH
+ C3
10uF
D1
+
C1
100uF/250V
V1
1
18V
U2
Vin
78L15
Vout
15V
3
GND1
dVs/dt > 50V/ns
BATTERY
2
GND1
HV
600V
15V
V3
C8
C9
10uF
Measure dV/dt (HV Scope Probe)
PULSE
BNC
GND2
U3
2
3
HCPL-314J
?
14
VEE
VCC
16
OUT
15
10K
2
U2
1,8
IXDD414
4,5
6,7
0.1uF
Q1
IXFP4N100Q
D2
DSEI12-10A
GND3
-600V
GND3
Figure 9. Test circuit for allowable offset supply voltage transient.
V CH
1
VIN+
Up to 400V
3
1
IXCP
10M90S
10
VOUT-
VOUT- 15
1k
2
1uF/35V MLCC
11
12
VOUT+
GND
VOUT+ 14
30
5.1
1N5817
1uF/35V MLCC
10
11
12
HS
NC
NC
V CH
HGO
HS
9
8
7
15
IXTH14N60P
V DD
HIN
1k
10uF/35V
13
14
V DD
HIN
NC
NC
6
5
18uH
0.1uF/1kV
ENB
1k
15
ENB
LS
4
5.1
1N5817
LIN
1k
16
17
LIN
DG
V CL
LGO
3
2
15
0.47uF
IXTH14N60P
0.47uF
18
LS
LS
1
V CL
10uF/35V
1uF/35V MLCC
Figure 10. Test circuit for high frequency, 750kHz, operation.
V DD , V CH , V CL = 15V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EYM10DTAT-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| VE-BNR-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| T95Z156M025CSAL | CAP TANT 15UF 25V 20% 2910 |
| RBM12DSEI-S13 | CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND |
| VE-BNP-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IX6R11P7 | 功能描述:功率驱动器IC 35V 6A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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