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参数资料
| 型号： | IX6R11M6T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-MLP |
| 供应商设备封装： | 16-MLP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IX6R11
175
150
225
200
125
100
Max. t off
Typ. t off
Max. t on
175
150
125
Max. t off
Typ. t off
Max. t on
75
Typ. t on
100
Typ. t on
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature - Degrees C
Fig. 12a. Low side turn-on and turn-off delay times
vs. temperature.
190
Temperature - Degrees C
Fig. 12b. High side turn-on and turn-off times
vs. temperature.
150
180
170
160
Max. t on
140
130
120
150
110
Max. t on
140
130
120
110
Max. t off
Typ. t on
Typ. t off
100
90
80
70
Max. t off
Typ. t off
Typ. t on
100
60
5
10
15
20
25
30
35
10
15
20
25
30
35
V CL Supply Voltage - Volts
Fig. 13a. Low side turn-on and turn-off delay times vs. V CL .
200
V CH Supply Voltage - Volts
Fig. 13b. High side turn-on and turn-off delay times vs. V CH .
225
200
160
120
Max. t off
Max. t on
Typ. t on
175
150
Max. t off
Max. t on
Typ. t on
125
80
Typ. t off
100
Typ. t off
40
4
6
8
10
12
14
16
18
20
75
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DD Supply Voltage- Volts
Fig. 14a. Low side turn-on and turn-off delay times
vs. V DD supply voltage.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DD Supply Voltage - Voltage
Fig. 14b. High side turn-on and turn-off delay times vs. V DD .
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EYM10DTAT-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| VE-BNR-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W |
| T95Z156M025CSAL | CAP TANT 15UF 25V 20% 2910 |
| RBM12DSEI-S13 | CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND |
| VE-BNP-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IX6R11P7 | 功能描述:功率驱动器IC 35V 6A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S3T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6 | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Chipset Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IX6R11S6T/R | 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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