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参数资料
型号： IXBF42N300
厂商： IXYS CORP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 60 A, 3000 V, N-CHANNEL IGBT
封装： PLASTIC, ISOPLUS, I4PAK-3
文件页数： 5/6页
文件大小： 188K
代理商： IXBF42N300
2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXBF42N300
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Collector Current
250
300
350
400
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500
550
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40
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85
IC - Amperes
tr
-
N
a
n
o
secon
d
s
TJ = 125C
TJ = 25C
RG = 20 , VGE = 15V
VCE = 1500V
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.
Gate Resistance
200
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RG - Ohms
tr
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Nano
se
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td
(on
) -
Na
no
se
co
nd
s
t r
t d(on) - - - -
TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 1500V
I C = 84A
I C = 42A
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
200
300
400
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700
800
25
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105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
tf
-
Na
no
se
co
nd
s
380
400
420
440
460
480
500
t
d
(of
f) -
N
anos
ec
onds
t f
t d(off) - - - -
RG = 20, VGE = 15V
VCE = 1500V
I C = 42A
I C = 84A
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Collector Current
200
300
400
500
600
700
800
40
45
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IC - Amperes
tf
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t d(off) - - - -
RG = 20, VGE = 15V
VCE = 1500V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Junction Temperature
250
300
350
400
450
500
550
600
650
25
35
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115
125
TJ - Degrees Centigrade
tr
-
N
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no
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co
nds
RG = 20 , VGE = 15V
VCE = 1500V
I C = 84A
I C = 42A
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
20
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RG - Ohms
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TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 1500V
I C = 84A
I C = 42A
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PDF描述
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