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参数资料
| 型号： | IXBF42N300 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 60 A, 3000 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | PLASTIC, ISOPLUS, I4PAK-3 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IXBF42N300 |
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions.
IXBF42N300
IXYS REF: B_42N300(8M)04-14-11
Fig. 19. Forward-Bias Safe Operating Area @ TC = 25C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
VCE - Volts
IC
-
A
m
per
es
100s
1ms
10ms
VCE(sat) Limit
TJ = 150C
TC = 25C
Single Pulse
100ms
DC
25s
Fig. 20. Forward-Bias Safe Operating Area @ TC = 115C
0.001
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VCE - Volts
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10ms
VCE(sat) Limit
TJ = 150C
TC = 115C
Single Pulse
100ms
DC
25s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB100N50Q3 | 100 A, 500 V, 0.049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IXGH50N60B4 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| IXGH50N60C4D1 | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXBF9N140 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET |
| IXBF9N160 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET |
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| IXBH10N170 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 1700V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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