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参数资料
| 型号： | IXDE504SIAT/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 19ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXDD504 / IXDE504
Figure 1 - IXDD504 Dual Non-Inverting + Enable 4A Gate Driver Functional Block Diagram
Vcc
200 K
ANTI-CROSS
P
*
*
IN A
EN A
IN B
EN B
200 K
CONDUCTION
CIRCUIT *
ANTI-CROSS
CONDUCTION
CIRCUIT *
N
P
N
OUT A
OUT B
GND
Figure 2 - IXDE504 Dual Inverting + Enable 4A Gate Driver Functional Block Diagram
Vcc
200 K
ANTI-CROSS
P
*
*
*
IN A
EN A
IN B
EN B
GND
United States Patent 6,917,227
200 K
CONDUCTION
CIRCUIT *
ANTI-CROSS
CONDUCTION
CIRCUIT *
N
P
N
OUT A
OUT B
Copyright ? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDE514SIAT/R | IC GATE DRIVER 14A 8-SOIC |
| IXDI404SIA | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC |
| IXDI409SIA | IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC |
| IXDI604SI | IC GATE DVR 4A INV 8-SOIC |
| IXDI609YI | IC GATE DVR 9A DUAL HS TO263-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDE509D1 | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 35V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509PI | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509SIA | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509SIAT/R | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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