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参数资料
| 型号： | IXDE504SIAT/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 19ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXDD504 / IXDE504
Fig. 22
12
10
Output Source Current vs. Supply Voltage
Fig. 23
0
-2
Output Sink Current vs. Supply Voltage
-4
8
-6
6
-8
4
-10
2
-12
0
-14
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 24
6
5
4
3
2
1
0
Output Source Current vs. Temperature
V SUPPLY = 15V
Fig. 25
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
Output Sink Current vs. Temperature
V SUPPLY = 15V
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
Fig. 26
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
Temperature (C)
High State Output Resistance vs. Supply Voltage
Temperature (C)
Fig. 27
Low State Output Resistance vs. Supply Voltage
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
Supply Voltage (V)
9
Supply Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDE514SIAT/R | IC GATE DRIVER 14A 8-SOIC |
| IXDI404SIA | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC |
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| IXDI604SI | IC GATE DVR 4A INV 8-SOIC |
| IXDI609YI | IC GATE DVR 9A DUAL HS TO263-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXDE509SIAT/R | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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